Presentation Information
[10a-S2-8]Thick Doped MoS2 Source/Drain Formation for Multi-Stacked TMDC Nanosheet FETs
〇Naoya Okada1, Shinichi Tanabe2, Toshifumi Irisawa1, Hao Cheng2, Hitoshi Miura2, Keiichi Nagasaka2, Atsuki Fukazawa2, Hiroki Maehara2 (1.SFRC, AIST, 2.TEL)
Keywords:
TMDC,MoS2,CMOS
先端ロジック半導体では、チャネルを多段積層したゲートオールアラウンド（GAA）型トランジスタ構造への移行が進んでおり、チャネル材料についても、従来のSiに代わりMoS2などの遷移金属ダイカルコゲナイド（TMDC）の適用が期待されている。本研究では、ソース／ドレイン材料として厚膜MoS2に着目し、MoS2に適したドーパント材料の探索と低抵抗化について検討した。