講演情報
[10a-S2-8]厚膜MoS2を用いたソース／ドレイン形成技術
〇岡田 直也1、田邉 真一2、入沢 寿史1、成 浩2、三浦 仁嗣2、長坂 恵一2、深澤 篤毅2、前原 大樹2 (1.産総研 SFRC、2.東京エレクトロン)
キーワード：
遷移金属カルコゲナイド、硫化モリブデン、CMOS
先端ロジック半導体では、チャネルを多段積層したゲートオールアラウンド（GAA）型トランジスタ構造への移行が進んでおり、チャネル材料についても、従来のSiに代わりMoS2などの遷移金属ダイカルコゲナイド（TMDC）の適用が期待されている。本研究では、ソース／ドレイン材料として厚膜MoS2に着目し、MoS2に適したドーパント材料の探索と低抵抗化について検討した。