[10a-S2-1~11] 17.1 Growth, Assembly, Structure control

11:15 AM - 11:30 AM JST(2:15 AM - 2:30 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[10a-S2-9] Fabrication of SnS thin films by vacuum evaporation and effects of source composition on crystal orientation and electrical properties

〇(M1)Kiyotatsu Kudo¹, Mihyeon Kim¹, Yoshitaro Nose², Yuta Saito^1,3 (1.Tohoku Univ., 2.Konan Univ., 3.GXT, Tohoku Univ.)

Keywords:

layered semiconductor,SnS,vacuum evaporation

SnSは次世代ナノデバイス材料として期待されているが、SnS単層の大面積での成膜プロセスは確立されていない。そこで本研究では真空蒸着法に着目し、組成の異なる3種類のSn-S粉末を用いSn-S薄膜を作製、熱処理し、その物理的、電気的性質を調査した。蒸着源により相変化挙動が異なったが、全ての蒸着源からSnS単相が得られた。蒸着源の違いにより、配向が異なった。キャリアの移動度は (400)配向であるSnS単相が最も高い移動度を示した。