講演情報
[10a-S2-9]真空蒸着法によるSnS薄膜の作製と蒸着源組成が結晶配向および電気的特性に及ぼす影響
〇(M1)工藤 清龍1、金 美賢1、野瀬 嘉太郎2、齊藤 雄太1,3 (1.東北大院工、2.甲南大学理工、3.東北大GXT)
キーワード：
層状半導体、SnS、真空蒸着法
SnSは次世代ナノデバイス材料として期待されているが、SnS単層の大面積での成膜プロセスは確立されていない。そこで本研究では真空蒸着法に着目し、組成の異なる3種類のSn-S粉末を用いSn-S薄膜を作製、熱処理し、その物理的、電気的性質を調査した。蒸着源により相変化挙動が異なったが、全ての蒸着源からSnS単相が得られた。蒸着源の違いにより、配向が異なった。キャリアの移動度は (400)配向であるSnS単相が最も高い移動度を示した。