[10p-A21-1~19] 13.7 Compound and power devices, process technology and characterization

4:15 PM - 4:30 PM JST(7:15 AM - 7:30 AM UTC)

[10p-A21-10] Wafer bonding between GaN epitaxial layers grown on OVPE-GaN and Diamond for fabricating N-polar GaN-on-Diamond

〇Masafumi Yokoyama¹, Kiyotoshi Iimura¹, Tatsuya Moriyama², Sogo Yokoi², Shigeyoshi Usami², Masayuki Imanishi², Hikaru Iwamoto³, Naoteru Shigekawa³, Junichi Takino⁴, Tomoaki Sumi⁴, Yoshio Okayama⁴, Atsushi Tanaka⁵, Yoshio Honda⁵, Hiroshi Amano⁵, Yusuke Mori² (1.Sumitomo Chemical Co., Ltd., 2.The Univ. of Osaka, 3.Osaka Metropolitan Univ., 4.Panasonic Holdings Corp., 5.Nagoya Univ.)

Keywords:

OVPE-GaN,Diamond,wafer bonding

N 極性 GaN-on-Diamond を作製するための手法を検討している。OVPE-GaN 基板上 GaN エピ層と Diamond 基板を接合し、電気化学エッチングを用いた選択エッチングにより OVPE-GaN を除去することで、OVPE-GaN 基板上 GaN エピ層を Diamond 基板上に転写する手法が考えられる。OVPE-GaN 基板上 GaN エピ層と Diamond 基板との接合について検討した。