講演情報
[10p-A21-10]N 極性 GaN-on-Diamond 作製に向けた OVPE-GaN 基板上 GaN エピ層と Diamond 基板の接合検討
〇横山 正史1、飯村 清寿1、森山 達也2、横井 創吾2、宇佐美 茂佳2、今西 正幸2、岩本 晃3、重川 直輝3、滝野 淳一4、隅 智亮4、岡山 芳央4、田中 敦之5、本田 善央5、天野 浩5、森 勇介2 (1.住友化学株式会社、2.大阪大学大学院工学研究科、3.大阪公立大学工学研究科、4.パナソニックホールディングス株式会社、5.名古屋大学未来材料・システム研究所)
キーワード：
OVPE-GaN、ダイヤモンド、基板接合
N 極性 GaN-on-Diamond を作製するための手法を検討している。OVPE-GaN 基板上 GaN エピ層と Diamond 基板を接合し、電気化学エッチングを用いた選択エッチングにより OVPE-GaN を除去することで、OVPE-GaN 基板上 GaN エピ層を Diamond 基板上に転写する手法が考えられる。OVPE-GaN 基板上 GaN エピ層と Diamond 基板との接合について検討した。