[10p-A21-1~19] 13.7 Compound and power devices, process technology and characterization

5:00 PM - 5:15 PM JST(8:00 AM - 8:15 AM UTC)

[10p-A21-12] Carrier transport of 2DEG in AlGaN/GaN heterostructures grown on insulative GaN substrates

〇Masatomo Sumiya¹, Reijin Masuda^1,2, Yasutaka Imanaka¹, Jun Kikkawa¹, Toru Honda² (1.NIMS, 2.Kogakuin Univ.)

Keywords:

AlGaN/GaN heterostructure,Insulative GaN substrate,2DEG carrier transport

有機金属化学堆積法で成長したAlGaN/GaNヘテロ界面に形成される２次元電子ガス（２DEG）の極低温での移動度の上限を決める散乱因子として、転位密度、界面ラフネス、不純物などの様々な要因が議論されている。今回、絶縁性GaN基板上にAlGaN/GaNヘテロ構造を成長し、極低温での2DEGの移動度の転位密度依存性について検討したので報告する。