[10p-A21-1~19] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

17:00 〜 17:15

[10p-A21-12] 絶縁性GaN基板上AlGaN/GaNヘテロ界面の輸送特性

〇角谷 正友¹、増田 礼仁^1,2、今中 康貴¹、吉川 純¹、本田 徹² (1.物材機構、2.工学院大)

キーワード：

AlGAN/GaNヘテロ構造、絶縁性GaN基板、２次元電子ガス輸送特性

有機金属化学堆積法で成長したAlGaN/GaNヘテロ界面に形成される２次元電子ガス（２DEG）の極低温での移動度の上限を決める散乱因子として、転位密度、界面ラフネス、不純物などの様々な要因が議論されている。今回、絶縁性GaN基板上にAlGaN/GaNヘテロ構造を成長し、極低温での2DEGの移動度の転位密度依存性について検討したので報告する。