[10p-A21-1~19] 13.7 Compound and power devices, process technology and characterization

6:00 PM - 6:15 PM JST(9:00 AM - 9:15 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[10p-A21-16] Electrical Characterisitics of Gate-First AlGaN/GaN HEMTs with Field Plates

〇Takuya Fujimoto¹, Yuji Ando^1,2, Hidemasa Takahashi¹, Ryutaro Makisako¹, Jun Suda^1,2 (1.Nagoya Univ., 2.IMass, Nagoya Univ.)

Keywords:

AlGaN/GaN HEMT,Gate-First

AlGaN/GaN HEMTにおいて、低温RTAを用いたゲート先行プロセスでは、素子設計自由度の向上や、Si CMOSプロセスとの互換性による製造コスト低減などの利点がある。これまでに我々のグループは、二層キャップ構造をゲート先行HEMTに適用し、デバイス実証を行った。本研究では新たにFP構造を形成可能なゲート先行HEMTプロセスを開発し、デバイスの電気的特性を評価した。