[10p-A21-1~19] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

18:00 〜 18:15奨励賞エントリー

[10p-A21-16] ゲート先行プロセスで作製したフィールドプレート付きAlGaN/GaN HEMTの電気的特性

〇藤本 拓也¹、安藤 裕二^1,2、高橋 英匡¹、牧迫 隆太郎¹、須田 淳^1,2 (1.名大院工、2.名大未来研)

キーワード：

AlGaN/GaN HEMT、ゲート先行

AlGaN/GaN HEMTにおいて、低温RTAを用いたゲート先行プロセスでは、素子設計自由度の向上や、Si CMOSプロセスとの互換性による製造コスト低減などの利点がある。これまでに我々のグループは、二層キャップ構造をゲート先行HEMTに適用し、デバイス実証を行った。本研究では新たにFP構造を形成可能なゲート先行HEMTプロセスを開発し、デバイスの電気的特性を評価した。