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6:15 PM - 6:30 PM JST(9:15 AM - 9:30 AM UTC)

[10p-A21-17]Analysis of the anisotropy in the valence-band structure of GaN using angle-resolved photoemission spectroscopy

〇AKihira Munakata¹, Takahito Takeda¹, Hikaru Sasaki¹, Yoshinori Nakagawa², Atsushi Fujimori^3,4, Takuya Maeda¹, Masaki Kobayashi^1,5 (1.School of Engineering, UTokyo, 2.Nichia Corporation, 3.School of Science, UTokyo, 4.National Tsing Hua Univ., 5.CSRN, UTokyo)

Keywords:

gallium nitride,angle-resolved photoemission spectroscopy,band structure

GaNデバイスの設計や物性解明には，価電子帯における正孔有効質量やバンド分裂が重要であるがその詳細は未解明である．本研究では，真空紫外光(VUV)を用いた高分解能な角度分解光電子分光(ARPES)を行い，新たにa軸(Γ–K方向)のバンド分散を実験的に観測した．以前報告したc軸(Γ–A)方向の結果と合わせてバルク価電子帯構造の異方性を包括的に解明し，実験に基づいて各バンドの正孔有効質量を決定した．

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