講演情報
[10p-A21-17]角度分解光電子分光を用いたGaNの価電子帯構造の異方性の解析
〇棟方 晟啓1、武田 崇仁1、佐々木 洸1、中河 義典2、藤森 淳3,4、前田 拓也1、小林 正起1,5 (1.東大院工、2.日亜化学、3.東大理、4.国立清華大、5.東大CSRN)
キーワード：
窒化ガリウム、角度分解光電子分光、バンド構造
GaNデバイスの設計や物性解明には，価電子帯における正孔有効質量やバンド分裂が重要であるがその詳細は未解明である．本研究では，真空紫外光(VUV)を用いた高分解能な角度分解光電子分光(ARPES)を行い，新たにa軸(Γ–K方向)のバンド分散を実験的に観測した．以前報告したc軸(Γ–A)方向の結果と合わせてバルク価電子帯構造の異方性を包括的に解明し，実験に基づいて各バンドの正孔有効質量を決定した．