[10p-A21-1~19] 13.7 Compound and power devices, process technology and characterization

2:45 PM - 3:00 PM JST(5:45 AM - 6:00 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[10p-A21-4] GaN HEMT Thermal Dissipation Improvement using an AlN Interlayer Dielectric

〇Yuya Tsutsumi¹, Takahide Hirasaki¹, Yukihiro Tsuji¹, Kozo Makiyama¹, Ken Nakata¹ (1.Sumitomo Electric Industries, Ltd)

Keywords:

GaN HEMT,AlN interlayer dielectric,thermal impedance

GaN HEMTの自己発熱による温度上昇の抑制方法として、層間絶縁膜を高熱伝導率の材料に置き換える手法が検討されている。本研究では、低温成膜が可能な高熱伝導率の材料であるAlNを層間絶縁膜としてGaN HEMTに適用し、非定常の熱抵抗を意味する熱インピーダンス（Z_th）の低減を検討した。その結果、従来のSiNを適用したデバイスと比較して、AlNを適用したデバイスではZ_thの低減が確認された。