[10p-A21-1~19] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

14:45 〜 15:00奨励賞エントリー

[10p-A21-4] GaN HEMTの放熱改善に向けたAlN層間絶縁膜の適用

〇堤 優也¹、平崎 貴英¹、辻 幸洋¹、牧山 剛三¹、中田 健¹ (1.住友電工)

キーワード：

GaN HEMT、AlN層間絶縁膜、熱インピーダンス

GaN HEMTの自己発熱による温度上昇の抑制方法として、層間絶縁膜を高熱伝導率の材料に置き換える手法が検討されている。本研究では、低温成膜が可能な高熱伝導率の材料であるAlNを層間絶縁膜としてGaN HEMTに適用し、非定常の熱抵抗を意味する熱インピーダンス（Z_th）の低減を検討した。その結果、従来のSiNを適用したデバイスと比較して、AlNを適用したデバイスではZ_thの低減が確認された。