Presentation Information
[10p-A21-6]Enhancement of 2DEG mobility in ScAlN/GaN heterostructures by inserting AlN interlayer
〇Kouei Kubota1, Yusuke Wakamoto1, Hikaru Sasaki1, Kosuke Joya1, Tomoya Fuji1, Takahiko Kawahara2, Shigeki Yoshida2, Kozo Makiyama2, Ken Nakata2, Ryosho Nakane1, Takuya Maeda1 (1.The University of Tokyo, 2.Sumitomo Electric Industries, Ltd.)
Keywords:
ScAlN,GaN,2DEG
これまで我々は、ScAlN/GaNヘテロ構造の2DEGの輸送特性を解明してきた。本研究では、AlN中間層を挿入したScAlN/AlN/GaNヘテロ構造を成長し、AlN層の成長条件と2DEG輸送特性の関係を調べた。Alフラックスが低い条件で成長したサンプルにおいて移動度の向上が見られ、室温移動度633 cm2/Vsが得られた。移動度の温度依存性はIR、POP、ADP散乱で説明することができた。