講演情報
[10p-A21-6]PA-MBE成長ScAlN/GaNヘテロ構造におけるAlN中間層による2DEG移動度向上
〇久保田 航瑛1、若本 裕介1、佐々木 洸1、城谷 光亮1、藤 友哉1、河原 孝彦2、吉田 成輝2、牧山 剛三2、中田 健2、中根 了昌1、前田 拓也1 (1.東大工、2.住友電気工業株式会社)
キーワード：
窒化スカンジウムアルミニウム、窒化ガリウム、二次元電子ガス
これまで我々は、ScAlN/GaNヘテロ構造の2DEGの輸送特性を解明してきた。本研究では、AlN中間層を挿入したScAlN/AlN/GaNヘテロ構造を成長し、AlN層の成長条件と2DEG輸送特性の関係を調べた。Alフラックスが低い条件で成長したサンプルにおいて移動度の向上が見られ、室温移動度633 cm2/Vsが得られた。移動度の温度依存性はIR、POP、ADP散乱で説明することができた。