[10p-A21-1~19] 13.7 Compound and power devices, process technology and characterization

3:45 PM - 4:00 PM JST(6:45 AM - 7:00 AM UTC)

[10p-A21-8] Buffer Impurity Concentration Dependence of Current Collapse in N-polar GaN HEMTs

〇Akihiro Hayasaka¹, Junya Yaita¹, Shigeki Yoshida¹, Maui Hino¹, Akira Mukai¹, Junji Kotani¹, Kozo Makiyama¹, Ken Nakata¹ (1.Sumitomo Electric)

Keywords:

N-polar GaN HEMTs,Current collapse,Buffer impurities

無線通信向け増幅器として広く使用されるGaN HEMTは次世代通信に向け高周波化が求められている。しかし、従来のGa極性デバイスでは短ゲートにおいてバッファを回り込むリーク電流が増加する課題がある。そこでチャネル下にバリア層を形成でき高周波化に有利なN極性GaN HEMTが注目されている。N極性GaNはドナーとなる酸素を取り込みやすくバッファ高抵抗化のための不純物添加が必要なため、本研究では電流コラプスのバッファ不純物濃度依存性を調査した。