講演情報
[10p-A21-8]N極性GaN HEMTにおける電流コラプスのバッファ不純物濃度依存性
〇早坂 明泰1、矢板 潤也1、吉田 成輝1、日野 眞生1、向井 章1、小谷 淳二1、牧山 剛三1、中田 健1 (1.住友電工)
キーワード：
N極性GaN HEMT、電流コラプス、バッファ不純物
無線通信向け増幅器として広く使用されるGaN HEMTは次世代通信に向け高周波化が求められている。しかし、従来のGa極性デバイスでは短ゲートにおいてバッファを回り込むリーク電流が増加する課題がある。そこでチャネル下にバリア層を形成でき高周波化に有利なN極性GaN HEMTが注目されている。N極性GaNはドナーとなる酸素を取り込みやすくバッファ高抵抗化のための不純物添加が必要なため、本研究では電流コラプスのバッファ不純物濃度依存性を調査した。