Presentation Information
[10p-A23-14]Effect of Quantum Well Number on the Absorption Edge Wavelength of GaAs/GaNAs/GaAs Core Multi-Shells Nanowires
〇Kantaro Sugihara1,2, Keisuke Minehisa1,2, Mahiro Sano1,2, Ishikawa Fumitaro2 (1.Hokkaido Univ., 2.Hokkaido Univ. RCIQE)
Keywords:
nanowire,Molecular Beam Epitaxy,Dilute nitride
長波長領域の光デバイス材料として期待されているGaNAsとGaAsを利用したGaAs/GaNAs/GaAsコアマルチシェルナノワイヤ(NW)の量子井戸数(QW)を変化させた際の光吸収特性の変化について調査した。分子線エピタキシー法を用いて2インチp-Si(111)基板上にQW数が0,1,3,5,10と変化させたNWを成長させた。積分球を用いて測定した反射率スペクトルでは、いずれの試料でも可視域から近赤外域にかけて反射率は5%以下と低く、基板表面が暗く観察されることに対応している。QW数の増加に伴い、反射率は全体的に低下しており、5QW以上の資料では、単一の吸収端のみが存在するようなスペクトル形状となった。