講演情報
[10p-A23-14]GaAs/GaNAs/GaAsコア-マルチシェルナノワイヤにおける量子井戸数の変化による吸収端波長への影響
〇杉原 貫太郎1,2、峰久 恵輔1,2、佐野 真浩1,2、石川 史太郎2 (1.北大情科院、2.北大量集セ)
キーワード：
ナノワイヤ、分子線エピタキシー、希釈窒化物
長波長領域の光デバイス材料として期待されているGaNAsとGaAsを利用したGaAs/GaNAs/GaAsコアマルチシェルナノワイヤ(NW)の量子井戸数(QW)を変化させた際の光吸収特性の変化について調査した。分子線エピタキシー法を用いて2インチp-Si(111)基板上にQW数が0,1,3,5,10と変化させたNWを成長させた。積分球を用いて測定した反射率スペクトルでは、いずれの試料でも可視域から近赤外域にかけて反射率は5%以下と低く、基板表面が暗く観察されることに対応している。QW数の増加に伴い、反射率は全体的に低下しており、5QW以上の資料では、単一の吸収端のみが存在するようなスペクトル形状となった。