[10p-A23-1~16] 15.3 III-V-group epitaxial crystals, Fundamentals of epitaxy

3:15 PM - 3:30 PM JST(6:15 AM - 6:30 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[10p-A23-6] Characterization of thermal annealing process in selective-area growth of InGaAs nanowires

〇Ryuta Nakamura^1,2, Keita Taniyama^1,2, Yuki Azuma^1,2, Doma Hachimiya^1,2, Katsuhiro Tomioka^1,2 (1.Hokkaido Univ., 2.RCIQE)

Keywords:

nanowire,Metal Organic Vapor Phase Epitaxy,thermal etching

従来のFETは微細化にともなうリーク電流や消費電力の増大が課題である。本研究グループはSi基板上にIII-V族化合物半導体ナノワイヤ（NW）を統合した縦型GAA素子を実証してきたが、選択成長法ではマスク開口径の微細化が限界を迎え、原子層スケールのNW成長が困難であった。本研究では、この課題を解決するため選択成長法に熱アニール工程を導入し、そのエッチング特性を評価した。