講演情報
[10p-A23-6]InGaAsナノワイヤ選択成長法における熱アニールによる微細化
〇中村 瑠汰1,2、谷山 慶太1,2、東 佑樹1,2、八宮 道馬1,2、冨岡 克広1,2 (1.北海道大学、2.RCIQE)
キーワード：
ナノワイヤ、有機金属気相成長法、熱エッチング
従来のFETは微細化にともなうリーク電流や消費電力の増大が課題である。本研究グループはSi基板上にIII-V族化合物半導体ナノワイヤ（NW）を統合した縦型GAA素子を実証してきたが、選択成長法ではマスク開口径の微細化が限界を迎え、原子層スケールのNW成長が困難であった。本研究では、この課題を解決するため選択成長法に熱アニール工程を導入し、そのエッチング特性を評価した。