[10p-B12-1~7] KS5 Atomic Layer Process Group

2:15 PM - 2:30 PM JST(5:15 AM - 5:30 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[10p-B12-2] Direct Observation of the Initial Oxidation Process in TDMAS/O₃ SiO₂ ALD by in-situ XPS

〇(D)Yuuki Tsuchiizu¹, Daisuke Ohori², Teruhisa Ohtsuka³, Masashi Ymazaki³, Hiroshi Arimoto³, Kazuhiko Endo¹ (1.Inst. of Fluid Sci. Tohoku Univ., 2.Kansai Univ., 3.Natl. Inst. of Adv. Ind. Sci. and Technol.)

Keywords:

Atomic Layer Deposition (ALD),SiO2

TDMAS/O₃を用いたSiO₂ ALDの初期酸化過程をin-situ XPSで観察した。ALD-Al₂O₃上にTDMASを供給後、O₃を2–30秒照射し、C1s・N1sを評価した。その結果、C-N/C-O結合と全C量は減少した一方、N量はほとんど減少せず、1 cycleではリガンド由来N成分が表面に残存することが分かった。