講演情報
[10p-B12-2]in-situ XPSによるTDMAS/O3 SiO2 ALDの初期酸化過程の直接観測
〇(D)土射津 佑起1、大堀 大介2、大塚 照久3、山崎 将嗣3、有本 宏3、遠藤 和彦1 (1.東北大学流体研、2.関西大学システム理工、3.産総研)
キーワード：
原子層堆積、SiO2
TDMAS/O₃を用いたSiO₂ ALDの初期酸化過程をin-situ XPSで観察した。ALD-Al₂O₃上にTDMASを供給後、O₃を2–30秒照射し、C1s・N1sを評価した。その結果、C-N/C-O結合と全C量は減少した一方、N量はほとんど減少せず、1 cycleではリガンド由来N成分が表面に残存することが分かった。