[10p-B12-1~7] KS5 Atomic Layer Process Group

2:30 PM - 2:45 PM JST(5:30 AM - 5:45 AM UTC)

[10p-B12-3] Development of Area Selective Deposition using iCVD

〇Kazuya Ichiki¹, Shuji Azumo¹ (1.Tokyo Electron Technology Solutions Ltd)

Keywords:

iCVD,Selective deposition

本開発では基板上に選択的に阻害性のあるポリマーを成長させることにより、厚い成長阻害膜を形成することを目的とする。選択的にポリマーを成膜するためには、モノマーを選択的に基板に吸着させた上でポリマー成長させるプロセスが望ましい。そのため、本開発ではiCVDを用いてSi,SiO₂およびSiN基板上にポリマーの成膜を行い選択性を評価した。