Presentation Information
[10p-C309-10]Effects of High-Speed CW Laser Annealing Conditions on Electrical Properties of Poly-Ge Thin Films
〇YUTA GOTO1,2, Matsumura Ryo1, Fukata Naoki1,2 (1.NIMS, 2.Univ. of Tsukuba)
Keywords:
laser anneal,Ge,polycrystalline
これまでに我々は，μsオーダーの高速レーザーアニールを用いて，高いドーパント活性化率や高 Sn 組成GeSn の作製を報告してきた．本研究では，高速レーザーアニール条件が多結晶Ge薄膜の結晶性や電気特性に及ぼす影響を調査した．