講演情報
[10p-C309-10]高速CWレーザーアニール条件が多結晶Ge薄膜の電気特性に及ぼす影響
〇後藤 雄太1,2、松村 亮1、深田 直樹1,2 (1.NIMS、2.筑波大)
キーワード：
レーザーアニール、Ge、多結晶
これまでに我々は，μsオーダーの高速レーザーアニールを用いて，高いドーパント活性化率や高 Sn 組成GeSn の作製を報告してきた．本研究では，高速レーザーアニール条件が多結晶Ge薄膜の結晶性や電気特性に及ぼす影響を調査した．
コメント
コメントの閲覧・投稿にはログインが必要です。ログイン