講演情報

16:30 〜 16:45

[10p-C309-10]高速CWレーザーアニール条件が多結晶Ge薄膜の電気特性に及ぼす影響

〇後藤雄太^1,2、松村亮¹、深田直樹^1,2 (1.NIMS、2.筑波大)

レーザーアニール、Ge、多結晶

これまでに我々は，μsオーダーの高速レーザーアニールを用いて，高いドーパント活性化率や高 Sn 組成GeSn の作製を報告してきた．本研究では，高速レーザーアニール条件が多結晶Ge薄膜の結晶性や電気特性に及ぼす影響を調査した．