Presentation Information
[10p-E101-4][The 60th Young Scientist Presentation Award Speech] RT-CW Operation of Sapphire-Based AlGaN UV-B Laser Diodes and Its Design Guidelines
〇Rintaro Miyake1, Takumu Saito1, Shion Kamiya1, Ryota Watanabe1, Kenta Kitagawa1, Tomoya Tanikawa1, Sho Iwayama1, Hideto Miyake2, Koichi Naniwae3, Yoshito Jin4, Toramaru Masamitsu4, Tatsuya Matsumoto4, Yoshihiro Shimazaki4, Hironori Torii5, Satoshi Kamiyama1, Tetsuya Takeuchi1, Motoaki Iwaya1 (1.Meijo Univ., 2.Mie Univ., 3.Ushio Inc., 4.JSW., 5.JSW Afty.)
Keywords:
semiconductor laser
AlGaN系UV-Bレーザーダイオード（LD）は医療・産業分野への応用が期待される一方、高いしきい電力と低い熱伝導率に起因する発熱のため、室温連続波（CW）動作の実現が課題であった。本講演では、結晶成長、導波路構造および熱設計を最適化することで、サファイア基板上AlGaN系UV-B LDの室温CW動作を実現した成果について報告する。さらに、302～316 nm帯における複数波長でのCW動作結果を示し、UV-B LDの設計指針について議論する。