講演情報
[10p-E101-4][第60回講演奨励賞受賞記念講演] サファイア基板上AlGaN系UV-Bレーザーダイオードの室温CW動作実現とその設計指針
〇三宅 倫太郎1、齋藤 巧夢1、神谷 始音1、渡辺 崚太1、北川 賢汰1、谷川 智也1、岩山 章1、三宅 秀人2、難波江 宏一3、神 好人4、寅丸 雅光4、松本 竜弥4、島崎 好広4、鳥居 博典5、上山 智1、竹内 哲也1、岩谷 素顕1 (1.名城大理工、2.三重大工、3.ウシオ電機、4.日本製鋼所、5.JSWアフティ)
キーワード：
半導体レーザー
AlGaN系UV-Bレーザーダイオード（LD）は医療・産業分野への応用が期待される一方、高いしきい電力と低い熱伝導率に起因する発熱のため、室温連続波（CW）動作の実現が課題であった。本講演では、結晶成長、導波路構造および熱設計を最適化することで、サファイア基板上AlGaN系UV-B LDの室温CW動作を実現した成果について報告する。さらに、302～316 nm帯における複数波長でのCW動作結果を示し、UV-B LDの設計指針について議論する。