Presentation Information
[10p-E206-4]Evaluation of Ti-doped SnO2 Thin Film Deposited by RF Magnetron Co-Sputtering
〇Tatsumi Nakamura1, Yuta Shinohara1, Genki Sugiura3, Hyunju Lee2,3, Yoshio Ohshita3, Atsushi Ogura1,2 (1.School of Sci. & Tech., Meiji Univ, 2.MREL, 3.Toyota Tech. Inst)
Keywords:
tandem solar cell,TCO,co-sputtering
PVSK/SHJタンデム太陽電池用TCOとしてTi-doped SnO2薄膜をRFマグネトロン共スパッタリング法を用いて作製し、Ti RF出力が特性に与える影響を評価した。Ti出力10 Wで電子移動度と900–1200 nmにおける膜内透過率が最大となった。これはTi添加による結晶性向上及び酸素欠陥抑制に起因すると考えられ、Ti RF出力の最適化が電気・光学特性の改善に有効であることが示された。
