講演情報
[10p-E206-4]RFマグネトロン共スパッタリング法によるTiドープSnO2薄膜評価
〇中村 竜海1、篠原 佑太1、杉浦 玄騎3、Hyunju Lee2,3、大下 祥雄3、小椋 厚志1,2 (1.明治大理工、2.明大MREL、3.豊田工業大学)
キーワード：
タンデム太陽電池、TCO、共スパッタリング
PVSK/SHJタンデム太陽電池用TCOとしてTi-doped SnO2薄膜をRFマグネトロン共スパッタリング法を用いて作製し、Ti RF出力が特性に与える影響を評価した。Ti出力10 Wで電子移動度と900–1200 nmにおける膜内透過率が最大となった。これはTi添加による結晶性向上及び酸素欠陥抑制に起因すると考えられ、Ti RF出力の最適化が電気・光学特性の改善に有効であることが示された。