[10p-E206-1~10] 16.3 Bulk, thin-film and other silicon-based solar cells

3:30 PM - 3:45 PM JST(6:30 AM - 6:45 AM UTC)

[10p-E206-8] Comparison of Hydrogenation for the Passivation of TOPCon Structures: Hydrogen Radical Treatment in a Cat-CVD Chamber versus Sacrificial SiN_x:H Treatment

〇DUANYI YIN¹, Kensaku Maeda¹, Keisuke Ohdaira¹ (1.JAIST)

Keywords:

TOPCon,Cat-CVD

本研究では，TOPCon構造に対するCat-CVD装置を用いた水素ラジカル処理と犠牲SiNx:H層処理のパッシベーション効果を比較した。作製したTOPCon試料に各種水素化処理を施し，QSSPC法により実効少数キャリア寿命を評価した。その結果，両処理ともキャリア寿命の向上が確認されたが，犠牲SiNx:H層処理の方が高いキャリア寿命を示した。