講演情報
[10p-E206-8]Cat-CVD装置での水素ラジカル処理と犠牲SiNx:H層処理によるTOPCon構造のパッシベーション特性比較
〇YIN DUANYI1、前田 健作1、大平 圭介1 (1.北陸先端大)
キーワード：
TOPCon、Cat-CVD
本研究では，TOPCon構造に対するCat-CVD装置を用いた水素ラジカル処理と犠牲SiNx:H層処理のパッシベーション効果を比較した。作製したTOPCon試料に各種水素化処理を施し，QSSPC法により実効少数キャリア寿命を評価した。その結果，両処理ともキャリア寿命の向上が確認されたが，犠牲SiNx:H層処理の方が高いキャリア寿命を示した。