[10p-E215-1~15] CS.10 Code-sharing session of 6.5&7.5

2:30 PM - 2:45 PM JST(5:30 AM - 5:45 AM UTC)

[10p-E215-5] Growth and Valence Band Structure of Carbon Films Deposited by Photoelectron-Assisted Plasma CVD at Various Substrate Temperature

〇(B)Shinnosuke Ueda¹, Hidetoshi Hatsumi¹, Motonobu Sato¹, Mizuhisa Nihei^1,2, Shuichi Ogawa¹ (1.Nihon Univ., 2.enu-labs.)

Keywords:

photoelectron spectroscopy,photoelectron-controlled plasma,DLC

炭素膜の構造評価にはラマン分光や内殻準位XPSが広く用いられているが、価電子帯構造の評価例は限られている。本研究では光電子制御プラズマCVD法によりアモルファス状炭素膜を作製し、基板温度が膜成長および価電子帯構造に及ぼす影響を調べた。成膜速度、放電電荷あたりの膜成長量、電気抵抗率、ラマン分光測定および放射光価電子帯分光を行い、基板温度と電子構造の関係について検討した。