[10p-E215-1~15] CS.10 6.5 表面物理・真空、7.5 原子・分子線およびビーム関連新技術のコードシェアセッション

14:30 〜 14:45

[10p-E215-5] 光電子制御プラズマCVDによる炭素膜の温度依存成長と価電子帯構造

〇(B)上田 槙之介¹、初見 英俊¹、佐藤 元伸¹、二瓶 瑞久^1,2、小川 修一¹ (1.日大生産工、2.エヌラボ)

キーワード：

光電子分光、光電子制御プラズマ、DLC

炭素膜の構造評価にはラマン分光や内殻準位XPSが広く用いられているが、価電子帯構造の評価例は限られている。本研究では光電子制御プラズマCVD法によりアモルファス状炭素膜を作製し、基板温度が膜成長および価電子帯構造に及ぼす影響を調べた。成膜速度、放電電荷あたりの膜成長量、電気抵抗率、ラマン分光測定および放射光価電子帯分光を行い、基板温度と電子構造の関係について検討した。