Presentation Information

3:30 PM - 3:45 PM JST(6:30 AM - 6:45 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[10p-E215-8]In-situ AFM analysis of cooling rate dependence of silicon crystal growth surface in molten metal

〇Taiga Sako¹, Yuto Nishiwaki¹, Takashi Ichii¹ (1.Kyoto Univ.)

Keywords:

silicon crystal growth,molten metal,Atomic Force Microscopy

半導体結晶の溶融金属フラックス成長では，不透明な溶融金属に覆われた成長界面の直接観察が困難であった．本研究では，溶融金属中原子間力顕微鏡 (AFM) を用い，溶融Ga中におけるSi結晶成長表面のin-situ観察を行った．冷却速度を変化させた結果，低速冷却 (0.03 ℃ min^-1) ではステップフロー成長が進行し，高速冷却 (5.0 ℃ min^-1) ではステップバンチングが発生することを直接確認し，溶融Ga中でのSi結晶成長メカニズムの冷却速度依存性を実験的に示した．

Back to Session information