講演情報

15:30 〜 15:45奨励賞エントリー

[10p-E215-8]溶融金属中in-situ AFMによるシリコン結晶成長表面構造の冷却速度依存性分析

〇酒匂大雅¹、西脇悠人¹、一井崇¹ (1.京大院工)

キーワード：

Si結晶成長、溶融金属、原子間力顕微鏡

半導体結晶の溶融金属フラックス成長では，不透明な溶融金属に覆われた成長界面の直接観察が困難であった．本研究では，溶融金属中原子間力顕微鏡 (AFM) を用い，溶融Ga中におけるSi結晶成長表面のin-situ観察を行った．冷却速度を変化させた結果，低速冷却 (0.03 ℃ min^-1) ではステップフロー成長が進行し，高速冷却 (5.0 ℃ min^-1) ではステップバンチングが発生することを直接確認し，溶融Ga中でのSi結晶成長メカニズムの冷却速度依存性を実験的に示した．

セッション詳細へ戻る