[10p-E218-1~13] 13.4 Si processing /Si based thin film / MEMS / Equipment technology

1:30 PM - 1:45 PM JST(4:30 AM - 4:45 AM UTC)

[10p-E218-1] The Impact of Silicon Wafer Processing on Devices characteristics

〇Tatsuya Fujita¹, Ryoma Maruyama¹, Kazushige Sato², Fumito Imura¹, Shiro Hara^1,3 (1.Inc.Hundred Semiconductors, 2.MINIMAL, 3.AIST)

Keywords:

Minimal Fab,wafer,Wafer processing

Minimal Fabでは1Lotを1枚として扱われ、1Lot25枚の300mmシステムよりも、25倍待ち時間が短いので、短期間でデバイスを作製できる為、デバイスメーカではなく、ウェハメーカ自身が加工条件とデバイス特性の関係について実験的な検証を行うことが可能である。本件では、Siベアウェハ上にpMOSFET及びCV測定用パターンを作製し、ウェハ製造条件がデバイス評価に及ぼす影響について検討した。