[10p-E218-1~13] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

13:30 〜 13:45

[10p-E218-1] シリコンウェハの加工プロセスがデバイス特性に与える影響

〇藤田 龍哉¹、丸山 諒馬¹、佐藤 和重²、居村 史人¹、原 史朗^1,3 (1.株式会社Hundred Semiconductors、2.ミニマルファブ推進機構、3.産総研)

キーワード：

ミニマルファブ、ウェハ、ウェハ加工

Minimal Fabでは1Lotを1枚として扱われ、1Lot25枚の300mmシステムよりも、25倍待ち時間が短いので、短期間でデバイスを作製できる為、デバイスメーカではなく、ウェハメーカ自身が加工条件とデバイス特性の関係について実験的な検証を行うことが可能である。本件では、Siベアウェハ上にpMOSFET及びCV測定用パターンを作製し、ウェハ製造条件がデバイス評価に及ぼす影響について検討した。