[10p-E218-1~13] 13.4 Si processing /Si based thin film / MEMS / Equipment technology

4:00 PM - 4:15 PM JST(7:00 AM - 7:15 AM UTC)

[10p-E218-10] Evaluation of HfN_x Diodes Using a Minimal Fab Hydrogen Annealing Tool

〇Shuichi Noda¹, Kazushige Sato², Yuuki Yabuta³, Naoko Yamamoto³, Ryuichiro Kamei³, Noriko Miura¹, Shinichi Ikeda¹, Kangbai Li⁴, Shun-ichiro Oumi⁴, Shiro Hara^1,5 (1.AIST, 2.MINIMAL, 3.Seinan-Kogyo, 4.Science Tokyo, 5.Hundred Semiconductors)

Keywords:

Minimal Fab,ferroelectrics,hydrogen annealing

1Tr型の不揮発性メモリ応用を念頭に、ミニマル反応性スパッタ装置を用いての強誘電性HfN_x薄膜形成を行っているが、強誘電成膜の組成・結晶性最適化と下地Siとの界面リークの抑制が課題となっている。今回、界面リーク対策として、レーザ加熱によるミニマル水素アニール装置を用いてSi表面の真空中高温アニールを検討したところ、効果が認められそうな結果が得られた。