講演情報
[10p-E218-10]ミニマル水素アニール装置を適用した強誘電性HfNxダイオードの評価
〇野田 周一1、佐藤 和重2、薮田 勇気3、山本 直子3、亀井 龍一郎3、三浦 典子1、池田 伸一1、Li Kangbai4、大見 俊一郎4、原 史朗1,5 (1.産総研、2.ミニマルファブ推進機構、3.誠南工業（株）、4.科学大、5.Hundred Semiconductors)
キーワード：
ミニマルファブ、強誘電体、水素アニール
1Tr型の不揮発性メモリ応用を念頭に、ミニマル反応性スパッタ装置を用いての強誘電性HfNx薄膜形成を行っているが、強誘電成膜の組成・結晶性最適化と下地Siとの界面リークの抑制が課題となっている。今回、界面リーク対策として、レーザ加熱によるミニマル水素アニール装置を用いてSi表面の真空中高温アニールを検討したところ、効果が認められそうな結果が得られた。