Presentation Information
[10p-E218-3]Development of a Reverse Sputtering Capability to a Minimal Fab Sputtering Tool
〇Shuichi Noda1, Hiroshige Kogayu2, Yuuki Yabuta3, Naoko Yamamoto3, Chengnan Pan3, Ryuichiro Kamei3, Noriko Miura1, Shinichi Ikeda1, Shiro Hra1,2 (1.AIST, 2.Hundred Semiconductors, 3.Seinan-Kogyo)
Keywords:
Minimal Fab,reverse sputtering,via contact resistance
ミニマルファブでは、TiNメタルゲートを用いたSOI CMOS LSIの標準プロセスを確立してユーザーに提供している。しかし、今後微細化を進めるとともに多層配線プロセスの信頼性を向上するには、コンタクト抵抗、ビア抵抗のばらつきの大きさが課題となっている。対策には配線層成膜の直前での逆スパッタが効果的である。今回、配線層に用いているALスパッタ装置にこの機構を取り付けて基本的な特性を調べた。ミニマル装置特有の課題が明らかになり、改良をさらに進めていく。当日は2層Al配線TEGでの評価結果も報告する。