[10p-E218-1~13] 13.4 Si processing /Si based thin film / MEMS / Equipment technology

2:45 PM - 3:00 PM JST(5:45 AM - 6:00 AM UTC)

[10p-E218-6] Stabilizing Etching Rate of Micro-Plasma Etcher for Device Production in Minimal Fab

〇Ryuhei Sekifuji¹, Fumito Imura¹, Hiroyuki Tanaka², Noriko Miura², Shinichi Ikeda², Shiro Hara^1,2 (1.Hundred Semiconductors, 2.AIST)

Keywords:

Minimal Fab,Uniformity

我々が開発を進めているミニマルファブは既にデバイス開発フェーズから、生産フェーズへ移行しつつある。生産では、各プロセスの再現性(ウェハ間ばらつき)が非常に重要である。本研究ではミニマルファブのエッチング装置の一つである、マイクロプラズマエッチング装置に着目し、レジストのエッチングレートのウェハ間ばらつきと、そのばらつきの安定化手法について調べた。