[10p-E218-1~13] 13.4 Si processing /Si based thin film / MEMS / Equipment technology

3:30 PM - 3:45 PM JST(6:30 AM - 6:45 AM UTC)

[10p-E218-8] Dependence of photoresist width on exposure amount in Minimal Fab lithography

〇Aoi Kamada¹, Ryuhei Sekifuji¹, Fumito Imura¹, Noriko Miura², Shinichi Ikeda², Shiro Hara^1,2 (1.Hundred, 2.AIST)

Keywords:

Minimal Fab,lithography

ミニマルファブのリソグラフィ装置を用いて、露光量を変化させた際のレジスト線幅（5µm L/S）の変動を調査した。光学顕微鏡とSEMによる観察の結果、線幅の推移は全体としてロジスティック（S字）の様な挙動を示した。低露光や過露光の直前では線幅が急激に変動する一方、適正露光領域では推移が線形で寸法が安定しやすいことが分かった。実際のプロセスにおいて線幅が安定する露光領域の存在が明らかとなった。