講演情報
[10p-E218-8]ミニマルファブリソグラフィにおけるレジスト幅の露光量依存性
〇鎌田 葵1、関藤 竜平1、居村 史人1、三浦 典子2、池田 伸一2、原 史朗1,2 (1.Hundred Semiconductors、2.産業技術総合研究所)
キーワード：
ミニマルファブ、リソグラフィ
ミニマルファブのリソグラフィ装置を用いて、露光量を変化させた際のレジスト線幅（5µm L/S）の変動を調査した。光学顕微鏡とSEMによる観察の結果、線幅の推移は全体としてロジスティック（S字）の様な挙動を示した。低露光や過露光の直前では線幅が急激に変動する一方、適正露光領域では推移が線形で寸法が安定しやすいことが分かった。実際のプロセスにおいて線幅が安定する露光領域の存在が明らかとなった。