Presentation Information
[10p-E301-13]Structure of Polycrystalline Defects in (011) HVPE Ga2O3 Schottky Barrier Diodes
〇Masanori Eguchi1, Nakaniwa Shotaro2, Saha Niloy Chandra2, Lin Chia-Hung3, Sasaki Kohei3, Kasu Makoto2 (1.Saga Univ. Synchro., 2.Dept. Sci. Eng. Saga Univ., 3.Novel Crystal Technology, Inc.)
Keywords:
Beta-gallium oxide,Schottky barrier diode,Killer defects
低残留ドナー濃度で期待される( ) 面HVPEβ-Ga2O3の縦型ショットキーバリアダイオード（SBD）でキラー欠陥の多結晶欠陥の構造が明らかになったので報告する。