Presentation Information
[10p-E301-18]Measurement of the diffusion coefficients of n-type and p-type dopants in β-Ga2O3
〇(M2)Sasuga Hasegawa1, Ryusuke Nakamura1, Takeyuki Suzuki2 (1.Univ. of Shiga Pref., 2.SANKEN Osaka Univ.)
Keywords:
diffusion,Secondary Ion Mass Spectrometry
単結晶β-Ga2O3に，高周波スパッタリング装置を用いて拡散源のSi層もしくはGe(Sn)合金層を100-150nm堆積させた．Mgの拡散源として，Mg，銅との合金，フッ化マグネシウム及び酸化マグネシウムの4種を候補とし，真空蒸着法により成膜した．試料を真空中 (1.6×10-4 Pa) に保持し200-600 ℃で1-192 hの拡散アニールをした．SIMSにより元素の深さ方向のニ次イオン強度を測定した．強度分布に対して誤差関数を適用し拡散係数を決定した．その温度依存性を講演会で発表する．