講演情報
[10p-E301-18]β-Ga2O3におけるn型およびp型ドーパントの拡散係数の測定
〇(M2)長谷川 流石1、仲村 龍介1、鈴木 健之2 (1.滋賀県大工、2.阪大産研)
キーワード：
拡散、ニ次イオン質量分析法
単結晶β-Ga2O3に，高周波スパッタリング装置を用いて拡散源のSi層もしくはGe(Sn)合金層を100-150nm堆積させた．Mgの拡散源として，Mg，銅との合金，フッ化マグネシウム及び酸化マグネシウムの4種を候補とし，真空蒸着法により成膜した．試料を真空中 (1.6×10-4 Pa) に保持し200-600 ℃で1-192 hの拡散アニールをした．SIMSにより元素の深さ方向のニ次イオン強度を測定した．強度分布に対して誤差関数を適用し拡散係数を決定した．その温度依存性を講演会で発表する．