[10p-E301-1~20] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

2:45 PM - 3:00 PM JST(5:45 AM - 6:00 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[10p-E301-6] Characterization of the Local Structure and Electronic Properties of Nb-Doped (Ga_0.75In_0.25)₂O₃ Thin Films

〇(M2)Masaharu Watanabe^1,2, Masaaki Kobata³, Tatsuo Fukuda³, Atsushi Ogura^1,4, Takahiro Nagata^2,1 (1.Meiji Univ., 2.NIMS, 3.JAEA, 4.MREL)

Keywords:

Gallium Oxide,Indium Oxide,wide band gap

β-Ga₂O₃は次世代パワー半導体材料として注目されている一方、電子輸送特性の制御性向上が課題である。我々はこれまでに、Nbドープ(Ga_0.75In_0.25)₂O₃では2 wt.%以下のNb添加でβ相が主相として維持されることを報告した。本報告では、このβ相維持領域における局所構造および電子状態の変化に着目し、HAXPESおよび2D-XRDにより電子輸送特性との相関を検討した。