[10p-E301-1~20] 21.1 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

14:45 〜 15:00奨励賞エントリー

[10p-E301-6] Nbドープ(Ga_0.75In_0.25)₂O₃薄膜の局所構造と電子物性の評価

〇(M2)渡邉 允晴^1,2、小畠 雅明³、福田 竜生³、小椋 厚志^1,4、長田 貴弘^2,1 (1.明大理工、2.物材機構、3.原子力機構、4.明大MREL)

キーワード：

酸化ガリウム、酸化インジウム、ワイドバンドギャップ

β-Ga₂O₃は次世代パワー半導体材料として注目されている一方、電子輸送特性の制御性向上が課題である。我々はこれまでに、Nbドープ(Ga_0.75In_0.25)₂O₃では2 wt.%以下のNb添加でβ相が主相として維持されることを報告した。本報告では、このβ相維持領域における局所構造および電子状態の変化に着目し、HAXPESおよび2D-XRDにより電子輸送特性との相関を検討した。